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第428章 从锗到硅的跨越

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着导带和价带之间的空白区域。

“锗的禁带宽度只有零点六六电子伏特。”

“这意味着约束锗原子核外价电子的能量势垒非常低。在常温下,只有我们人为掺入的杂质原子提供的电子参与导电,这叫多数载流子,也是晶体管能够放大信号的基础。”

赵广陵在黑板上画了几条表示热能辐射的波浪线。

“但是,当环境温度升高到七八十度时,热能提供的能量就足以让锗原子本身的大量价电子直接跨越那窄窄的禁带,跃迁到导带中。”

“这些因为高温产生的电子被称为本征载流子。它们会像决堤的洪水一样,瞬间淹没我们人为控制的晶体管通道。此时,单向导电性彻底崩溃,晶体管不再是一个可以控制的开关或放大器,而变成了一块毫无阻力的纯导体。电流失去控制,最终导致元件因过热而烧毁。”

“只要我们还在使用锗,我们的雷达就不能装进超音速飞机,我们的导弹在重返大气层时就会变成瞎子。甚至我们的昆仑二号超算,在冬天也必须开着大功率的制冷空调来防止它自己烧掉。”

赵广陵放下粉笔,转身看向在场的材料学家和化学家们。

“我们必须寻找一种禁带宽度更大、能够在高温下死死锁住本征载流子的新材料。”

赵广陵的目光落在了一张元素周期表上,指尖指向了锗元素正上方的位置。

“第十四号元素。硅。”

“硅的禁带宽度是一点一二电子伏特,几乎是锗的两倍。数学模型显示,硅晶体管能够承受两百摄氏度以上的高温而不发生热失控。它在地球地壳中的丰度排名第二,仅次于氧。可以说,我们脚下的沙子和石头里,到处都是硅。”

“但大自然是公平的。硅虽然多,但它比锗更难驾驭。”

赵广陵列出了转向硅基材料面临的三道鸿沟。

“第一,熔点高。锗在九百三十八度就会融化,而硅的熔点高达一千四百一十四度。在这个温度下,硅熔体具有极强的化学活性,它会像强酸一样溶解掉绝大多数已知的耐火材料坩埚,从而引入致命的杂质。”

“第二,提纯难。我们用区域熔炼法把锗提纯到了百亿分之一。但硅的表面张力和液态密度特性,导致区域熔炼在硅身上效果极差,熔区容易断裂崩塌。我们必须寻找新的单晶生长方法。”

“第三,加工难。硅的硬度远高于锗,且极度脆硬,金刚石切割时容易产生微观裂纹。而它表面在空气中极易形成一层


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